Viru kuerzem hu vill Benotzer iwwer d'Virdeeler an Nodeeler vun der Sputterbeschichtungstechnologie gefrot, No den Ufuerderunge vun eise Clienten, elo Experten vum RSM Technology Department wäerten eis deelen, an der Hoffnung fir Problemer ze léisen.Et ginn wahrscheinlech déi folgend Punkten:
1, Onbalancéiert Magnetron Sputtering
Unzehuelen datt de magnetesche Flux, deen duerch déi bannescht a baussenzeg Magnéitpolend vun der Magnetron-Sputtering-Kathode passéiert, net gläich ass, ass et eng onbalancéiert Magnetron-Sputtering-Kathode.D'Magnéitfeld vun der normaler Magnetron-Sputtering-Kathode ass no bei der Zilfläch konzentréiert, während d'Magnéitfeld vun der onbalancéierter Magnetron-Sputtering-Kathode aus dem Zil straalt.D'Magnéitfeld vun der gewéinlecher Magnetronkathode beschränkt de Plasma no bei der Zilfläche fest, während de Plasma no beim Substrat ganz schwaach ass, an de Substrat net vu staarken Ionen an Elektronen bombardéiert gëtt.D'Net-Gläichgewiicht magnetron Kathode Magnéitfeld kann de Plasma wäit ewech vun der Zil Uewerfläch verlängeren an de Substrat taucht.
2, Radiofrequenz (RF) Sputtering
De Prinzip vun der Oflagerung vun Isoléierfilm: en negativen Potenzial gëtt op den Dirigent applizéiert, deen op der Réck vum Isoléierziel plazéiert ass.Am Glühwäin Entladung Plasma, wann de positiven Ion Guide Plack beschleunegt, bombardéiert et der isoléierend Zil virun et ze sputteren.Dës Sputtering kann nëmme fir 10-7 Sekonnen daueren.Duerno kompenséiert de positiven Potential, deen duerch d'positiv Ladung, déi um isoléierend Zil accumuléiert ass, den negativen Potenzial op der Dirigentplack, sou datt d'Bombardement vun héichenergesche positiven Ionen op dem Isoléierziel gestoppt gëtt.Zu dëser Zäit, wann d'Polaritéit vun der Energieversuergung ëmgedréint ass, wäerten d'Elektronen d'Isoléierplack bombardéieren an déi positiv Ladung op der Isoléierplack innerhalb vun 10-9 Sekonnen neutraliséieren, wat säi Potenzial Null mécht.Zu dëser Zäit, ëmgedréint der Polaritéit vun der Energieversuergung kann Sputtering fir 10-7 Sekonnen produzéieren.
Virdeeler vum RF Sputtering: béid Metallziler an dielektresch Ziler kënne gesputtert ginn.
3, DC Magnetron Sputtering
D'Magnetron Sputtering Beschichtungsausrüstung vergréissert d'Magnéitfeld am DC Sputtering Kathode Zil, benotzt d'Lorentz Kraaft vum Magnéitfeld fir d'Streck vun Elektronen am elektresche Feld ze binden an ze verlängeren, erhéicht d'Chance fir Kollisioun tëscht Elektronen a Gasatomen, Ioniséierungsquote vu Gasatomen, erhéicht d'Zuel vun héich-Energie-Ionen, déi d'Zil bombardéieren, a reduzéiert d'Zuel vun héich-Energie-Elektronen, déi de placéierte Substrat bombardéieren.
Virdeeler vum Planar Magnetron Sputtering:
1. D'Zilkraaftdicht kann 12w / cm2 erreechen;
2. D'Zilspannung kann 600V erreechen;
3. De Gasdrock kann 0,5pa erreechen.
Nodeeler vun planar Magnetronen Sputtering: d'Zil bildt e Sputterkanal an der Pistberäich, d'Ätse vun der ganzer Zilfläch ass ongläich, an d'Notzungsquote vum Zil ass nëmmen 20% - 30%.
4, Mëttelfrequenz AC Magnetron Sputtering
Et bezitt sech op dat an der mëttlerer Frequenz AC Magnetron Sputtering Ausrüstung, normalerweis zwee Ziler mat der selwechter Gréisst a Form si niewentenee konfiguréiert, dacks als Zwillingsziler bezeechent.Si sinn suspendéiert Installatiounen.Normalerweis ginn zwee Ziler zur selwechter Zäit ugedriwwen.Am Prozess vun der mëttlerer Frequenz AC Magnetron reaktiv Sputtering, handelen déi zwee Ziler als Anode a Kathode am Tour, a si handelen als Anodkathode géigesäiteg am selwechte Hallefzyklus.Wann d'Zil um negativen Hallefzykluspotential ass, gëtt d'Zielfläch bombardéiert a vu positiven Ionen gesputtert;Am positiven Hallefzyklus ginn d'Elektronen vum Plasma op d'Zieloberfläche beschleunegt fir d'positiv Ladung ze neutraliséieren, déi op der isoléierender Uewerfläch vun der Zilfläch accumuléiert ass, wat net nëmmen d'Zündung vun der Ziloberfläche ënnerdréckt, awer och de Phänomen vun " Anoden verschwannen".
D'Virdeeler vum Zwëschenfrequenz duebel Zilreaktiven Sputtering sinn:
(1) Héich Oflagerungsquote.Fir Siliziumziler ass d'Oflagerungsquote vu mëttelfrequenz reaktiven Sputtering 10 Mol déi vun DC reaktivem Sputtering;
(2) De Sputterprozess kann op de festgeluegte Betribspunkt stabiliséiert ginn;
(3) De Phänomen vun "Zündung" gëtt eliminéiert.D'Defektdicht vum preparéierten Isoléierfilm ass e puer Uerderen vun der Gréisst manner wéi déi vun der DC reaktiver Sputtermethod;
(4) Méi héich Substrattemperatur ass gutt fir d'Qualitéit an d'Adhäsioun vum Film ze verbesseren;
(5) Wann d'Energieversuergung méi einfach ass mam Zil ze passen wéi d'RF Energieversuergung.
5、 Reaktiv Magnetron Sputtering
Am Sputterprozess gëtt de Reaktiounsgas gefüttert fir mat de gesputterte Partikelen ze reagéieren fir Verbindungsfilmer ze produzéieren.Et kann reaktive Gas ubidden fir gläichzäiteg mat dem sputterende Verbindungsziel ze reagéieren, an et kann och reaktive Gas ubidden fir mat dem sputterende Metall- oder Legierungsziel zur selwechter Zäit ze reagéieren fir Verbindungsfilmer mat engem bestëmmte chemesche Verhältnis ze preparéieren.
Virdeeler vun reaktiven Magnetron Sputtering Compound Filmer:
(1) D'Zilmaterialien an d'Reaktiounsgase benotzt Sauerstoff, Stickstoff, Kuelewaasserstoffer, asw., déi normalerweis einfach sinn, héich-Rengheetsprodukter ze kréien, wat fir d'Virbereedung vun héich-Renge-Compound-Filmer förderlech ass;
(2) Duerch d'Upassung vun de Prozessparameter kënnen chemesch oder net chemesch Verbindungsfilmer virbereet ginn, sou datt d'Charakteristike vun de Filmer ugepasst kënne ginn;
(3) D'Substrattemperatur ass net héich, an et gi wéineg Restriktiounen op de Substrat;
(4) Et ass gëeegent fir grouss Beräich eenheetlech Beschichtung a realiséiert industriell Produktioun.
Am Prozess vun der reaktiver Magnetron Sputtering ass d'Instabilitéit vum Compound Sputtering einfach ze geschéien, haaptsächlech abegraff:
(1) Et ass schwéier Zesummesetzung Ziler ze preparéieren;
(2) De Phänomen vum Bogenschlag (Arc Entladung) verursaacht duerch Zilvergëftung an d'Instabilitéit vum Sputterprozess;
(3) Low Sputtering Oflagerung Taux;
(4) D'Defektdicht vum Film ass héich.
Post Zäit: Jul-21-2022