Wëllkomm op eise Websäiten!

Risen elektroopteschen Effekt an Ge / SiGe gekoppelt Quantewells

Silicon-baséiert Photonik gëtt momentan als déi nächst Generatioun Photonik Plattform fir embedded Kommunikatioun ugesinn.Wéi och ëmmer, d'Entwécklung vu kompakten a Low Power opteschen Modulatoren bleift eng Erausfuerderung.Hei berichte mir e riesegen elektro-opteschen Effekt a Ge / SiGe gekoppelte Quantewellen.Dëse verspriechende Effekt baséiert op den anomalen Quante Stark Effekt wéinst der separater Begrenzung vun Elektronen a Lächer a gekoppelte Ge/SiGe Quantewellen.Dëst Phänomen ka benotzt ginn fir d'Performance vu Liichtmodulatoren wesentlech ze verbesseren am Verglach mat de Standard Approchen, déi bis elo an der Siliziumfotonik entwéckelt goufen.Mir hunn Ännerungen am Brechungsindex bis zu 2,3 ​​× 10-3 bei enger Biasspannung vun 1,5 V mat enger entspriechender Modulatiounseffizienz VπLπ vun 0,046 Vcm gemooss.Dës Demonstratioun mécht de Wee fir d'Entwécklung vun effizienten High-Speed-Phasmodulatoren op Basis vu Ge / SiGe Materialsystemer.
       


Post Zäit: Jun-06-2023