Vill Benotzer mussen iwwer d'Produkt vum Sputtering Zil héieren hunn, awer de Prinzip vum Sputtering Zil soll relativ onbekannt sinn.Elo, den Redakter vunRich Special Material (RSM) deelt d'Magnetron Sputtering Prinzipien vum Sputtering Zil.
En orthogonal Magnéitfeld an elektrescht Feld ginn tëscht der gesputterter Zilelektrode (Kathode) an der Anode bäigefüügt, den erfuerderlechen Inertgas (allgemeng Ar Gas) gëtt an d'Héichvakuumkammer gefëllt, de permanente Magnéit bildt en 250 ~ 350 Gauss Magnéitfeld op d'Uewerfläch vun den Zildaten, an dat orthogonal elektromagnéitescht Feld gëtt mam Héichspannungselektrescht Feld geformt.
Ënnert dem Effekt vum elektresche Feld gëtt Ar Gas a positiv Ionen an Elektronen ioniséiert.Eng gewësse negativ Héichspannung gëtt zum Zil bäigefüügt.Den Effet vum Magnéitfeld op Elektronen, déi vum Zilpol emittéiert sinn, an d'Ioniséierungswahrscheinlechkeet vum Aarbechtsgas eropgeet, an eng Héichdicht Plasma no bei der Kathode bilden.Ënnert dem Effekt vun der Lorentz Kraaft beschleunegen d'Ar-Ionen op d'Zieloberfläche a bombardéieren d'Zielfläch mat enger ganz héijer Geschwindegkeet. Filmer ze deposéieren.
Magnetron Sputtering ass allgemeng an zwou Aarte opgedeelt: Niewefsputtering a RF Sputtering.De Prinzip vun Niewefloss Sputtering Ausrüstung ass einfach, a seng Taux ass och séier wann Metal Sputtering.RF Sputtering gëtt wäit benotzt.Zousätzlech zu sputtering konduktiv Materialien, kann et och net-leitend Materialien sputteren.Zur selwechter Zäit féiert et och reaktiv Sputtering fir Materialien vun Oxiden, Nitriden, Karbiden an aner Verbindungen ze preparéieren.Wann d'RF Frequenz erhéicht gëtt, gëtt et Mikrowelle Plasma Sputtering.Elo gëtt Elektronen Cyclotron Resonanz (ECR) Mikrowelle Plasma Sputtering allgemeng benotzt.
Post Zäit: Mee-31-2022