Den dënnen Film op der Beschichtete Zil ass eng speziell Materialform.An der spezifescher Richtung vun der Dicke ass d'Skala ganz kleng, wat eng mikroskopesch moossbar Quantitéit ass.Zousätzlech, well d'Erscheinung an d'Interface vun der Filmdicke, d'Materialkontinuitéit endet, wat d'Filmdaten an d'Zildaten verschidde gemeinsam Eegeschaften mécht.An d'Zil ass haaptsächlech d'Benotzung vun der Magnetron-Sputtering Beschichtung, Peking Richmat's Edither wäert eis huelen fir ze verstoen de Prinzip a Kompetenzen vun sputtering Beschichtung.
一、Prinzip vun der Sputterbeschichtung
Sputtering Beschichtungsfäegkeet ass d'Ioneschëldung vun der Zilerscheinung ze benotzen, d'Zilatome ginn aus dem Phänomen bekannt als Sputtering getraff.D'Atomer, déi op der Uewerfläch vum Substrat deposéiert sinn, ginn Sputterbeschichtung genannt.Generellt gëtt Gasioniséierung duerch Gasentladung produzéiert, an déi positiv Ionen bombastéieren d'Kathodeziel mat héijer Geschwindegkeet ënner der Handlung vum elektresche Feld, schloen d'Atomer oder d'Moleküle vun der cathode Zil, a fléien op d'Uewerfläch vum Substrat fir an e Film deposéiert ze ginn. Einfach geschwat, Sputterbeschichtung benotzt nidderegen Drock Inertgas Glow Offlossquant fir Ionen ze generéieren.
Allgemeng ass d'Sputterfilmplackéierungsausrüstung mat zwou Elektroden an enger Vakuumentladungskammer ausgestatt, an d'Kathodeziel besteet aus Beschichtungsdaten.D'Vakuumkammer ass mat Argongas mat engem Drock vun 0,1 ~ 10Pa gefëllt.Glow Offlossquantitéit geschitt op der cathode ënner der Aktioun vun negativ héich Volt vun 1 ~ 3kV DC oder rf Volt vun 13,56mhz.
二, Sputtering Beschichtungsfäegkeeten Charakteristiken
1, Schnell Stackinggeschwindegkeet
Den Ënnerscheed tëscht der Héichgeschwindegkeet Magnetron Sputterelektrode an der traditioneller Zweestufs Sputterelektrode ass datt de Magnéit ënner dem Zil arrangéiert ass, sou datt dat zougemaach ongläiche Magnéitfeld op der Uewerfläch vum Zil geschitt. D'Lorentz Kraaft op den Elektronen ass Richtung Zentrum vum heterogene Magnéitfeld.Wéinst dem Fokuseffekt flüchten d'Elektronen manner.Dat heterogen Magnéitfeld geet ëm d'Zielfläch, an déi sekundär Elektronen, déi am heterogene Magnéitfeld gefaange sinn, kollidéieren ëmmer erëm mat de Gasmoleküle, wat den héije Konversiounsquote vun de Gasmoleküle verbessert. kann eng grouss Beschichtungseffizienz kréien, mat idealen Entladungseigenschaften.
2, D'Substrattemperatur ass niddereg
Héichgeschwindeg Magnetron Sputtering, och bekannt als Low Temperatur Sputtering.De Grond ass datt den Apparat Entladungen an engem Raum vun elektromagnetesche Felder benotzt, déi direkt openee sinn.Déi sekundär Elektronen déi op der Äussewelt vum Zil optrieden, aneneen.Ënnert der Handlung vun engem riichten elektromagnéitesche Feld ass et bei der Uewerfläch vum Zil gebonnen a beweegt sech laanscht d'Piste an enger kreesfërmeger Rolllinn, klappt ëmmer erëm géint d'Gasmoleküle fir d'Gasmoleküle ze ioniséieren.Zesummen verléieren d'Elektronen selwer lues a lues hir Energie, duerch widderholl Bumps, bis hir Energie bal komplett verluer ass, ier se aus der Uewerfläch vum Zil bei dem Substrat flüchten kënnen.Well d'Energie vun den Elektronen sou niddereg ass, klëmmt d'Temperatur vum Zil net ze héich.Dat ass genuch fir d'Substrattemperaturerhéijung entgéintzewierken, déi duerch d'héich-energesch Elektronebombardement vun engem gewéinleche Diodeschoss verursaacht gëtt, wat d'Kryogeniséierung ofgeschloss huet.
3, Eng breet Palette vu Membranstrukturen
D'Struktur vun dënnen Filmer, déi duerch Vakuumverdampung an Injektiounsdepositioun kritt ginn, ass ganz anescht wéi déi, déi duerch d'Verdünnung vu Massefeststoffer kritt gëtt.Am Géigesaz zu den allgemeng bestoende Feststoffer, déi an dräi Dimensiounen als wesentlech déiselwecht Struktur klasséiert sinn, ginn déi an der Gasphase deposéiert Filmer als heterogen Strukture klasséiert.Déi dënn Filmer si kolonnär a kënnen duerch Scannenelektronenmikroskopie ënnersicht ginn.De Kolumnwachstum vum Film gëtt duerch d'ursprénglech konvex Uewerfläch vum Substrat an e puer Schatten an de prominenten Deeler vum Substrat verursaacht.Wéi och ëmmer, d'Form an d'Gréisst vun der Kolonn si ganz anescht wéinst der Substrattemperatur, der Uewerflächedispersioun vu gestapelten Atomer, der Begriefnis vun Gëftstoffatomer an den Tëschefall Wénkel vun Incidenten Atomer relativ zu der Substratfläch.Am exzessive Temperaturbereich huet den dënnen Film eng fibrous Struktur, héich Dicht, besteet aus feine columnar Kristalle, wat déi eenzegaarteg Struktur vum Sputterfilm ass.
Sputterendrock a Filmstackgeschwindegkeet beaflossen och d'Struktur vum Film.Well Gasmoleküle den Effekt hunn fir d'Dispersioun vun Atomer op der Uewerfläch vum Substrat z'ënnerdrécken, ass den Effekt vum héije Sputterendrock gëeegent fir d'Substrattemperaturfall am Modell.Dofir kënne poröse Filmer mat feine Käre bei héije Sputterendrock kritt ginn.Dëse klenge Kärgréisst Film ass gëeegent fir Schmieren, Verschleißbeständegkeet, Uewerflächhärten an aner mechanesch Uwendungen.
4, Zesummesetzung gläichméisseg arrangéieren
Verbindungen, Mëschungen, Legierungen, asw., déi passend schwéier duerch Vakuumverdampfung ze beschichtet sinn, well d'Dampdrock vun de Komponenten ënnerschiddlech sinn oder well se sech beim Heizung ënnerscheeden.Sputtering coating method is to make the target surface layer of atoms layer by layer op de Substrat, an dësem Sënn ass eng méi perfekt Film maachen Fäegkeeten.All Zorte vu Materialien kënnen an der industrieller Beschichtungsproduktioun duerch Sputter benotzt ginn.
Post Zäit: Apr-29-2022