Polysilicon ass e wichtegt Sputterzielmaterial.Mat Hëllef vun Magnetron Sputtering Methode fir SiO2 an aner dënn Filmer ze preparéieren kann d'Matrixmaterial besser optesch, dielektresch a Korrosiounsbeständegkeet maachen, déi wäit an Touchscreen, optesch an aner Industrien benotzt gëtt.
De Prozess vu Goss vu laange Kristalle ass d'Richtungsstärkung vu flëssege Silizium vun ënnen no uewen no an no ze realiséieren andeems d'Temperatur vum Heizung am waarme Feld vum Ingotofen an d'Wärmevergëftung vum thermesche Isolatiounsmaterial präzis kontrolléiert gëtt. solidification laang Kristaller Vitesse ass 0,8 ~ 1,2 cm / h.Zur selwechter Zäit, am Prozess vun der Directionneller Solidifikatioun, kann d'Segregatiounseffekt vun Metallelementer a Siliziummaterial realiséiert ginn, déi meescht Metallelementer kënne gereinegt ginn, an eng eenheetlech polykristallin Siliziumkornstruktur kann geformt ginn.
Casting Polysilicon muss och bewosst am Produktiounsprozess dotéiert ginn, fir d'Konzentratioun vun Akzeptor-Gëftstoffer an der Siliziumschmelz z'änneren.Den Haaptdotant vum p-Typ Goss Polysilisium an der Industrie ass Silizium Bor Masterlegierung, an där de Borgehalt ongeféier 0,025% ass.Den Dopingbetrag gëtt vun der Zilresistivitéit vum Siliziumwafer bestëmmt.Déi optimal Resistivitéit ass 0,02 ~ 0,05 Ω • cm, an déi entspriechend Borkonzentratioun ass ongeféier 2 × 1014cm-3. ass, ass d'Bor Element an engem Gradient an der vertikaler Richtung vun der ingot verdeelt, an der resistivity lues vun ënnen op d'Spëtzt vun der ingot reduzéiert.
Post Zäit: Jul-26-2022